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      漏源电压BV DSS (V)(Min.)：

      600

      导通电阻（zǔ）rDS(on)(mΩ)(Typ.)：

      115

      导通（tōng）电阻（zǔ）rDS(on)(mΩ)(Max.)：

      150

      最大（dà）漏极电流Id(on)(A)：

      24

      通道（dào）极（jí）性（xìng）：

      N沟道

      封装/温度（dù）(℃)：

      TO-220F-3L/-55~125

      描述（shù）：

      600V,150mΩ,24A,N沟道基于超级结技术的功率（lǜ）MOSFET



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